Q.
ESD对策电容器指南 (7)：如何选择ESD对策电容器？
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如前所述，对于Class II MLCC，直流偏压所造成的电容量减少高达70%。如果我们假定这是最糟情况，
这一关系告诉我们电容器（CX）实际可以看到多少电压（VX）。因此，我们选择高于VX的电压击穿等级（Vbd）的电容器来最终选定我们的电容器。
Vbd > VX，其中
图1: Vbd试验结果示例
例如，假定Co = 150pF，Cx = 1000pF，VESD = 12kV。这会形成4000V的最小Vbd。我们为Cx选择的1000pF电容器最小必须为4000V Vbd等级。
如果回看一下上面Q10中的Vbd图表示例，我们看到此电容器的平均Vbd等级为4520V，最小为4080V，因此是合适的选择。
A.
第一步是确认需要多少ESD保护。记住，12,000V模块等级的要求不表示部件要求也是12,000V。在许多情况下，最终客户设定模块等级ESD要求，并让设计工程师决定需要符合哪些部件等级要求才能满足模块等级ESD。
单独ESD试验评定不是选择电容器值的最佳方式。如果不查看Vbd、DUT和直流偏压效应，设计工程师可能对于保护电路进行过分设计，甚至欠安全设计。
測定电压（VX）与电容器 （CX）之间的关系。
如前所述，对于Class II MLCC，直流偏压所造成的电容量减少高达70%。如果我们假定这是最糟情况，
这一关系告诉我们电容器（CX）实际可以看到多少电压（VX）。因此，我们选择高于VX的电压击穿等级（Vbd）的电容器来最终选定我们的电容器。
Vbd > VX，其中
图1: Vbd试验结果示例
如果回看一下上面Q10中的Vbd图表示例，我们看到此电容器的平均Vbd等级为4520V，最小为4080V，因此是合适的选择。
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