EMI抑制电容器
B32033B4154K000
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量产体制
尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
规格书 
关于SVHC/REACH和RoHS声明 
材料规格书 
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C0603C0G1E6R8D030BA
积层贴片陶瓷片式电容器
Capacitance=6.8pF
Edc=25V
T.C.=C0GLxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General -
C1005X7R1E104K050BB
积层贴片陶瓷片式电容器
Capacitance=0.1μF
Edc=25V
T.C.=X7RLxWxT:1x0.5x0.5mm
General -
CGA4F3X7R2E102K085AE
积层贴片陶瓷片式电容器
Capacitance=1nF
Edc=250V
T.C.=X7RLxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200 -
CGA9N1X7R1V476M230KC
积层贴片陶瓷片式电容器
Capacitance=47μF
Edc=35V
T.C.=X7RLxWxT:5.7x5x2.3mm
General
AEC-Q200 -
B32023H3104M000
EMI抑制电容器
0.1 µF, 300 V rms AC
8.5m(W) x 16.5m(H) x 26.5m(L)
-
B32652A0473J000
缓冲, 谐振,功率因数校正(PFC)用电容器
0.047uF, 1000V DC
7mm(W) x 12.5mm(H) x 18mm(L)
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NLV25T-R47J-EF
SMD/SMT 电感器(线圈)
L=0.47μH
Q=30L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm -
MMZ0603D330CT000
片式磁珠
|Z|=33Ω at 100MHz
Rated current=200mAL x W x T :
0.6mm x 0.3mm x 0.3mm -
ALC2012-900-2P-T00
信号线的共模扼流圈/滤波器
|Z|=90Ω at 100MHz
Rated current=400mAL x W x T :
2mm x 1.2mm x 1.2mm -
MCZ0605AH900SDT000
信号线的共模扼流圈/滤波器
|Z|=90Ω at 100MHz
Rated current=0.1AL x W x T :
0.65mm x 0.5mm x 0.3mm
